単結晶引き上げ(CZ法)

CZ法では、引き上げ装置内に黒ヒーター黒鉛ルツボ、石英ルツボ、多結晶シリコンをセットし、不活性雰囲気の減圧下で加熱溶融し、種結晶を付けて徐々に引き上げることで単結晶を育成します。

外周研削加工

規定の長さに切断し、規定の直径に外周を研削します。外周の一部に結晶方位を示す平面(オリエンテーションフラット：オリフラ)か、溝(ノッチ)を付与します。

外周加工を完了したインゴットは左図の様な形状になります。(この図はノッチ付きの場合です)。

ベベル加工(外周面取り)

ダイアモンド砥石にてウェーハ外周を製品直径に研削し、端面を円弧状に研削・面取りします。

エッチング(両面化学研磨)

酸を混合したエッチング液中でウェーハをセットした治具を回転させながらエッチングし、前行程の機械加工による破壊層を完全に除去します。

ポリッシング(片面鏡面研磨)

研磨布を貼ってある回転する定盤に、ウェーハを接着したプレートを押し付け、研磨材を供給しながら、機械・化学複合作用による研磨を鏡面になるまで続けます。

検査

高輝度スポットライトをウェーハ表面にあてる外観検査と、装置による平坦度、比抵抗、表面に付着した極微小粒子の数などの検査を行います。

出荷

ウェーハは、多少の衝撃で破損しない様に衝撃を吸収する出荷用の箱に納めて出荷されます。