シリコンウェーハの製造プロセスには、大別して結晶育成プロセスとウェーハ加工プロセスがあります。
process
process
CZ法では、引き上げ装置内にヒーター、黒鉛るつぼ、石英ルツボ、多結晶シリコンをセットし、不活性雰囲気の減圧下で加熱溶融し、種結晶を付けて徐々に引き上げることで単結晶を育成します。
process
直径300mmのウェーハー用の単結晶シリコンインゴットは、その長さが2mに達し、重さは300kgを超えることがあり、非常に大きなものとなります。
process
指定の直径になるように、単結晶シリコンインゴットの外周を研削加工します。外周の一部には、結晶方位を示す溝（ノッチ）または平面（オリエンテーションフラット：オリフラ）加工を施します。その後、スライス加工前に指定の長さに切断します。
process
ワイヤーソー方式もしくは内周刃方式でインゴットを切断し、ウェーハ形状にします。
process
ウェーハ製造工程における欠けやクラックを防ぐために、ダイヤモンド砥石を用いてウェーハの端面を円弧状に研削し、面取りします。
process
回転する上下のラップ盤の間で、ウェーハをセットしたキャリアが回転し、砥粒を供給して両面を研磨します。
process
酸を混合したエッチング液中でウェーハをセットした治具を回転させながらエッチングし、前行程の機械加工による破壊層を完全に除去します。
process
拡散炉による熱処理を行い、結晶育成中に生成した酸素起因の不安定なドナー（n型不純物）を分解して、本来の抵抗率に戻します。
process
研磨布を貼ってある回転する定盤に、ウェーハを接着したプレートを押し付け、研磨材を供給しながら、機械・化学複合作用による研磨を鏡面になるまで続けます。
process
化学薬品と超純水でウェーハを洗浄し、化学的、物理的に清浄化します。
process
高輝度スポットライトをウェーハ表面に当てて外観検査を行い、専用検査装置を用いて平坦度、比抵抗、表面に付着した微小粒子の数なども検査します。
process
ウェーハは、清浄な出荷用ケースに納め、さらに湿気などを通さない特殊な袋に封入します。
process
ウェーハは、多少の衝撃で破損しない様に衝撃を吸収する出荷用の箱に納めて出荷されます。