製品情報

ウェーハバッチ式自動洗浄装置 SCC-250

幅広い分野の対応実績で、最適なカスタムを行うバッチ式装置。
SiCは、別途仕様打合せ必要。

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装置仕様

ウェーハサイズ
Ø200mm・Ø300mm
ウェーハ材質
シリコン（SiCなどの化合物半導体は、別途仕様打合せ必要）
処理槽及び構成
ライン構成により別途仕様打合せ
HEPA又はULPA
数量は構成により決定
薬液温度
最大100℃まで対応可能
薬液槽
振子揺動・回転・超音波
リンス槽
バブリング、QDR、比抵抗計設置
LD＆ULD
イオナイザー（オプション）
乾燥
温水引上・IR・スピンドライヤー・マランゴニー
オプション設備
オゾン発生装置
用力
純水, 窒素（エアセンサー用）, クリーンエアー, 電源 , 真空（搬送用）
ロボット

PHT製又はPHOENIX ENGINEERING製

上下軸（ACサーボ駆動）+ 走行軸（ACサーボ駆動）+ チャック機構（エア駆動）
薬液
O3・HF・NCW・KOH・NH4OH・H2O2・HCL・EDTA・HCL・Citric Acid・DIW

装置特長

  • シンプルな処理槽構造で最適なプロセスを実現します。
  • 槽間搬送は最短距離を最短時間にて搬送させる制御システム対応。
  • メンテナンス性を考慮した部品配置。
  • 豊富な実験データに基づくプロセス最適化に向けた設計が可能。
  • ニーズに合わせた最適なカスタム装置をご提供致します。

対応プロセス

  1. ラップ後洗浄装置：ラッピング砥粒除去（アルカリ+界面を主にした洗浄です）。
  2. アルカリエッチング洗浄装置：グラインディング後の加工歪を除去することを目的とした洗浄装置です。
  3. 熱処理前洗浄装置：RCA洗浄を基本としますが、ユーザーのライン構成により異なります。
  4. 熱処理後洗浄装置：RCA洗浄を基本としますが、ユーザーのライン構成により異なります。
  5. 研磨後洗浄装置：RCA洗浄が基本となります。（DHF・SC-1・SC-2・O3処理）
  6. FINAL洗浄：RCA洗浄が基本となります。（DHF・SC-1・SC-2・O3処理）