제품 정보

실리콘 웨이퍼 배치식 자동 세정 장치 SCC-250

폭넓은 분야의 대응 실적을 바탕으로 최적의 맞춤형 설계를 제공하는 배치식 장비입니다.
SiC는 별도로 사양 협의가 필요합니다.

카탈로그 다운로드 문의 및 견적 요청

장치 사양

웨이퍼 크기
Ø200mm・Ø300mm
웨이퍼 재질
실리콘 (SiC 등의 화합물 반도체는 별도 사양 협의 필요)
처리 탱크 및 구성
라인 구성에 따라 별도 사양 협의
HEPA 또는 ULPA
수량은 구성에 따라 결정
약액 온도
최대 100℃까지 대응 가능
약액 탱크
진자 흔들림・회전・초음파
린스 탱크
버블링, QDR, 비저항계 설치
LD 및 ULD
이오나이저 (옵션)
건조
온수 인상・IR・스핀 드라이어・마랑고니
옵션 설비
오존 발생 장치
사용 유틸리티
순수, 질소 (에어 센서용), 클린 에어, 전원, 진공 (이송용)
로봇

PHT 제품 또는 PHOENIX ENGINEERING 제품

상하축 (AC 서보 구동) + 주행축 (AC 서보 구동) + 척 기구 (에어 구동)
약액
O3・HF・NCW・KOH・NH4OH・H2O2・HCL・EDTA・HCL・Citric Acid・DIW

장비 특징

  • 심플한 처리 탱크 구조로 최적의 프로세스를 구현합니다.
  • 탱크 간 이송은 최단 거리와 최단 시간으로 이송하도록 제어 시스템 대응.
  • 유지보수를 고려한 부품 배치.
  • 풍부한 실험 데이터를 바탕으로 프로세스 최적화를 위한 설계가 가능합니다.
  • 고객의 니즈에 맞춘 최적의 맞춤형 장비를 제공합니다.

대응 프로세스

  1. 랩 후 세정 장치: 랩핑 연마제를 제거하기 위한 세정 장치입니다. (알칼리 + 계면활성제를 주로 사용한 세정)
  2. 알칼리 에칭 세정 장치: 그라인딩 후 가공 변형을 제거하는 것을 목적으로 한 세정 장치입니다.
  3. 열처리 전 세정 장치: RCA 세정을 기본으로 하지만, 사용자의 라인 구성에 따라 달라질 수 있습니다.
  4. 열처리 후 세정 장치: RCA 세정을 기본으로 하지만, 사용자의 라인 구성에 따라 달라질 수 있습니다.
  5. 연마 후 세정 장치: RCA 세정을 기본으로 합니다. (DHF, SC-1, SC-2, O3 처리)
  6. FINAL 세정: RCA 세정을 기본으로 합니다. (DHF, SC-1, SC-2, O3 처리)