실리콘 기판 가공 공정 및 세정 장치
- 세정 목적
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전 공정에서의 세정: 공정에서 발생하는 오염물의 제거가 주된 목적이 된다.
후공정에서의 세정: 파티클 제거 및 메탈 제거가 주된 목적이 된다.대표적인 세정 수법은 RCA 세정이라고 불리는 세정 방법이다.
- RCA 세정 목적
- 반도체 제조에 있어서 수율을 100%까지 높이는 것이 최대의 목표가 된다.수율에 크게 관련되어 오는 것이 파티클과 메탈 오염입니다.파티클은 배선 절단, 쇼트의 원인이 된다.메탈은 노이즈의 큰 요인이 된다.이러한 요인이 수율에 현저하게 나타난다.
배치식 전자동 웨이퍼 세정기 전체도
- RCA 세정이란
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APM (SC-1) 세정: 파티클 제거를 목적으로 한 세정 기법.
ＮＨ４ＯＨ＋Ｈ２Ｏ２＋ＤＩＷHPM (SC-2) 세정: 메탈 제거를 목적으로 한 세정 기법.
ＨＣＬ＋Ｈ２Ｏ２＋ＤＩＷDHF 세정: 파티클 제거/메탈 제거를 목적으로 한 세정 기법.
ＨＦ＋ＤＩＷSPM 세정: 유기물 제거를 목적으로 한 세정 기법.
Ｈ２ＳＯ４＋Ｈ２Ｏ２
실리콘 기판 제조 공정（적자*제품 라인업）
| 공정 | 내용 |
|---|---|
| 단결정 | CZ법, MCZ법, FZ법 |
| 결정외주연삭 방위측정 |
외주연삭 결정방위를알수있도록올리프라또는노치가공실시 |
| 슬라이스 | 다이아몬드 블레이드: 소경 웨이퍼 와이터쏘:φ8, φ12 유리지립, 유성지립, 수성지립 고정 지립: 와이어에 지립을 고착(톱마크가 나오기 쉽다) |
| 슬라이스 후 세정 | 지립 제거.알칼리+계면을 주로 한 세척 φ12의 경우 데마운터에 의해 실시: 웨이퍼 세정 & 박리 |
| 베벨링 | 웨이퍼 단면의 가공 및 연마 실시. |
| 랩 | 양면 랩기: 웨이퍼를 평탄하게 한다. |
| 랩후세정기 | 래핑지립제거:알칼리+계면을 주로 한 세정 |
| 에칭 | 랩 가공시에 생기는 가공 왜곡을 제거한다. 산 에칭 (확산 율속): HF, HNO3.CH3COOH 혼산액 알칼리 에치(반응율속): KOH 또한 NaOH의 콘크액 |
| 글라이딩 | φ12 웨이퍼의 경우 랩핑 대신 글라이딩으로 평탄도를 높이는 기법. 양두연삭과 단면연삭이 있다. |
| 알칼리 에칭 | 글라이딩에서 생기는 가공 왜곡 제거 |
| 열처리전 세정 | RCA세척이 기본이나 사용자의 라인 구성에 따라 다름 |
| 열처리 | 게터링 BSD: 웨이퍼 이면에 가공에 의한 왜곡층을 형성하여 게터링 작용을 시킨다. 열처리: 열처리에 의해 웨이퍼 내부에 왜곡층을 형성한다.여러 가지 방법이 있다. |
| 열처리 후 세정 | RCA세정이 기본이나 사용자의 라인 구성에 따라 다름 |
| 폴리싱(연마) | 경면 연마: 웨이퍼 표면의 요철을 극한까지없이하다 양면 연마: φ12는 양면 연마 단면 연마: φ8까지는 단면 연마가 주를 이룬다 |
| 연마 후 세정 | 포리신쿠후 세정: RCA 세정이 기본 DHF,SC-1,SC-2,O3수 |
| 파티클 검사 | ＫＬＡ（Ｔｅｎｃｏｒ）ＳＰ３ |
| Final세정 | RCA세정이 기본DHF, SC-1, SC-2.O3수 |
φ12인치 실리콘 가공공정에 있어서는 공정간의 반송은 거의 자동화되어 있다.
공정간 이송은 FOSB 용기를 사용하여 환경으로부터 격리한 상태에서 이송을 실시한다.
공정간 반송은 천장 공간을 이송하는 OHT 방식과 바닥 위를 이송하는 AGV 방식이 있지만 현재는 OHT 방식이 주류.파티클, 메탈을 관리하기 위해서는 절대적으로 필요한 시스템이다.