배치식 자동 세정 장치
SCC-250

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개요

  1. 랩후 세정장치 : 랩핑 지립제거(알카라인+계면을 주로 한 세정입니다).
  2. 알칼리 에칭 세정 장치 : 그라인딩 후의 가공 왜곡을 제거하는 것을 목적으로 한 세정 장치입니다.
  3. 열처리 전 세정 장치: RCA 세정을 기본으로 하지만 사용자의 라인 구성에 따라 달라집니다.
  4. 열처리 후 세척 장치: RCA 세정을 기본으로 하나 사용자의 라인 구성에 따라 달라집니다.
  5. 연마 후 세정 장치: RCA 세정이 기본입니다. (DHF·SC-1·SC-2·O₃처리)
  6. FINAL 세정:RCA 세정이 기본입니다. (DHF·SC-1·SC-2·O₃처리)

장치 소개

실리콘 웨이퍼(8″·12″) 배치식 자동세정장치 소개
폭넓은 분야의 대응 실적으로 최적의 커스텀을 실시하는 배치식 장치.
처리 매수 25매・50매의 2종류입니다.
반송 방식 캐리어 타입·캐리어리스 타입 중에서 선택합니다.
세정방법 세척방법을 사용하는 프로세스에 따라 세척조의 구성이 결정됩니다.
로봇 프로세스에 따라 대수를 결정합니다.
상하, 주행, 척 구동을 갖추고 있습니다.
LD＆ULD PFA・OPEN・FOSB・FOUP카세트에 대응합니다.
8″의 웨이퍼 피치는 6.35mm입니다.
12″의 웨이퍼 피치는 10mm입니다.
용도 및 레이아웃에 의해 사양을 결정합니다.
피치변환 12″웨이퍼 세정의 경우 세정조 용적을 줄이기 위해
웨이퍼 피치를 10mm~7mm 또는 5mm로 변환합니다.
건조방법 온수인상건조, IR건조, 스핀드라이기 중 선택합니다.
장치전반 프레임·가대 철골용접구조로내식도장후엔비감김구조입니다.
상부에는 FFU(클린 유닛)를 설치합니다.
처리시간 1배치(25장 또는 50장) 5분(300sec)~6분(360sec)입니다.
장치 사양
웨이퍼 사이즈 φ200mm・φ300mm
웨이퍼 재질 실리콘(SiC 등 화합물 반도체는 별도 사양 협의 필요)
처리조 및 구성 라인 구성에 따라 별도 사양 협의
HEPA 또는 ULPA 수량은 구성에 따라 결정
로봇 PHT제 또는 PHOENIX ENGINEERING제: 상하축(AC서보구동)+주행축(AC서보구동)+척기구(에어구동)
약액 O₃·HF·NCW·KOH·NH₄OH·H₂O㎎·HCL·EDTA·HCL·구연산·DIW
약액온도 최대 100℃까지 대응 가능
약액조 진자 요동·회전·초음파
린스조 버블링, QDR, 비저항계 설치
LD＆ULD 이오나이저 (옵션)
건조 온수 인상·IR·스핀 드라이어·마랑고니
용력 순수, 질소(에어 센서용), 클린 에어, 전원 , 진공(반송용)
옵션설비 오존 발생 장치
공정성능사양
부착 파티클수 10개/웨이퍼(0.15um 이상 사이즈) 이하 단, 사용자의 퍼실리티에 영향을 받습니다.
금속 콘타미 보증 외
에칭 균일성 보증 외
PHT 세정 장치 경쟁력
세척 장치는 각 유닛이 모듈화되어 있습니다.
프로세스로서는, 와이어 소 후세척·랩 후세척기·알칼리 에칭 세정·DSP 세정·최종 세정 등입니다.와이어 소후 세척, DSP 세척, FINAL 세척이 특기입니다.
일반적으로 웨이퍼 세정(최종 세정의 경우)은 φ300mm 웨이퍼 표면상의 파티클이 10개 이하가 아니면 NG(불량)가 됩니다. 파티클 사이즈는 0.1μm 이상입니다.
특징
높은 공정 성능 간단한 처리조 구조로 최적의 프로세스를 실현합니다.
하이 스루풋 조간 반송은 최단 거리를 최단 시간에 반송시키는 제어 시스템 대응
유지보수성 향상 유지보수성을 고려한 부품 배치
장치 설계 풍부한 실험 데이터를 기반으로 프로세스 최적화를 위한 설계
풍부한 실적 니즈에 맞는 최적의 커스텀 장치를 제공합니다.
대응 프로세스
와이어 소후 세정·랩 후 세정·알칼리 에칭 세정·열처리 전 세정·열처리 후 세정·연마 후 세정·FINAL 세정이 가능합니다.