產品資訊

晶圓自動清洗設備（批次式・單片式） SCC-250

具備廣泛領域的應用實績，能進行最佳化客製的批次式設備。
※關於SiC晶圓的對應需求，需另行洽談規格。

此外，本公司除了批次式清洗設備之外，亦擁有豐富的單片式清洗設備開發及製造經驗。特別是針對SiC、GaN、InP等化合物半導體的單片式清洗設備開發及製造，能根據客戶的製程需求提供最適化的解決方案。

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裝置規格

晶圓尺寸
Ø200mm・Ø300mm
晶圓材質
矽（SiC等化合物半導體需另行洽談規格）
處理槽及構成
依生產線構成另行洽談規格
HEPA或ULPA
數量依構成決定
藥液溫度
最高可支持至100℃
藥液槽
振動搖動・旋轉・超音波
沖洗槽
氣泡、QDR、比電阻計配置
LD＆ULD
離子發生器（選配）
乾燥
溫水拉升・紅外線（IR）・旋轉乾燥器・馬蘭戈尼效應
選配設備
臭氧發生器
用力
純水、氮氣（供氣體感測器使用）、潔淨空氣、電源、真空（供搬運使用）
機器人

PHT製或PHOENIX ENGINEERING製

上下軸（AC伺服驅動）+ 移動軸（AC伺服驅動）+ 夾取機構（氣壓驅動）
藥液
O3・HF・NCW・KOH・NH4OH・H2O2・HCL・EDTA・HCL・Citric Acid・DIW

設備特點

  • 簡單的處理槽結構，實現最佳化的製程。
  • 槽間搬運系統採用控制系統，實現最短距離及最短時間的搬運。
  • 考慮維修便利性進行零件配置。
  • 基於豐富的實驗數據，設計朝向製程最佳化。
  • 提供符合需求的最佳客製化設備。

對應製程

  1. 研磨後清洗設備：去除研磨粒子（主要採用鹼性+界面活性劑進行清洗）。
  2. 鹼性蝕刻清洗設備：用於去除研磨後加工應力的清洗設備。
  3. 熱處理前清洗設備：以RCA清洗為基礎，但依使用者的生產線構成有所不同。
  4. 熱處理後清洗設備：以RCA清洗為基礎，但依使用者的生產線構成有所不同。
  5. 研磨後清洗設備：以RCA清洗為基本。（DHF・SC-1・SC-2・O3處理）
  6. 最終清洗：以RCA清洗為基本。（DHF・SC-1・SC-2・O3處理）