半導体製造には,ウエハ表面にパーティクルが付着しない環境求められる。当社で提供している半導体処理設備に用いられる洗浄装置も,そのような要求に応えるように他社に先駆けてさまざまな工夫がなされている。その高い信頼性と生産性はワールドワイドのお客さまから評価されています。最先端の業界スタンダード装置を目指して最先端技術と多様なニーズに対応すべく進化し続けています。
独自の積局式処理チャンバー構造を持っています。またウエハ処理中の気流、液流の最適化を計り最適な処理レシピ、薬液の選択を行うことにより、極めて少ない表面パーティクル数を実現しています。また洗浄装置は独自の搬送方式により、コンパクトサイズな仕様です。
パーティクル・金属除去洗浄。
薬液によるエッチング処理。
ウエハ裏面洗浄。
◯半導体(前工程・後行程)
◯SAWフィルター等のセンサー
◯ハードディスク
◯FPD(液晶、スマートフォン等)、マスク洗浄
◯MEMS
◯太陽電池
浸漬式・バス式 | 枚葉式(2チャンバーの場合) | |
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LSI 歩留まり(ゴミ数少ないため) | - | (3~7% の歩留まりアップ)50nm 世代 LSIの場合 |
スループット(枚/時間) | 300 | 100(2チャンバーの場合) |
フットプリント | 13m² | 1.5~3m² |
サイクルタイム(1枚処理時) | 45分 | 1分 |
省資源 純水消費量 | 2.000リッター/時間 | 40リッター/時間 |
省資源 薬液消費量 | 100リッター/日 | 20リッター/日 |
エッチング面内均一性(熱酸化膜) | 7% | 2% |
付着ゴミ数(0.1um以上ゴミ数をカウント) | 200個/ウエハ | 20個/ウエハ(0.05umサイズ) |
装置トラブル時の廃棄ウエハ数 | 50枚 | 2枚 |
駆動方式 | モーター駆動(サーボ) | |
安全機構 | カセット有無、ウエハ有無、過負荷検知、異常警報、非常停止 | |
電源 | AC200V~240V, 3相 | |
装置重量 | 約40kg | |
オプション |
◯べルヌイ式チャック(極薄150umi以下厚さの基板処理可能) ◯2流ジェットスプレ ◯メガソニックスプレ ◯水素水、CO2水等の機能水 ◯オゾン水(最大30ppm) ◯ブラシ洗浄 ◯角基板処理 ◯CMP後洗浄(ローグ部水槽) |